技術(shù)編號(hào)：85591
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體而言，涉及一項(xiàng)通過第一連接線路層將柵極連接到N+或P+結(jié)以防止等離子體工藝中的等離子體損傷的技術(shù)。 背景技術(shù)在制造一般的硅半導(dǎo)體的過程中，采用等離子體氣體淀積或蝕刻薄膜的工藝導(dǎo)致了影響晶片上的單位元件的特性的等離子體損傷。 圖1a和圖1b是說明常規(guī)半導(dǎo)體器件中的等離子體損傷的圖示。 一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造工藝的薄膜淀積工藝包括采用離子化等離子體氣體在晶片上淀積反應(yīng)物以形成新的膜。而且，用于形成預(yù)期圖案的干法蝕刻工藝包括采用等離子體氣體蝕刻晶片上的特定材料。 上述工藝中...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。