技術(shù)編號：8531582
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 近年來，M0S功率半導(dǎo)體的需求不斷增加，作為用于其的基板，以高濃度摻雜銻 (Sb)、砷（As)、紅磷（P)等揮發(fā)性摻雜物的低電阻率的N型單晶硅基板的開發(fā)變得重要。單 晶硅基板是通過對主要由CZ法制造的單晶硅棒進行切割而得到的。 在通過CZ法制造單晶硅的情況下，首先在腔室內(nèi)的石英坩堝中填充多晶硅等原 料，在其中添加摻雜物，將其用加熱器加熱做成原料熔融液后，從腔室上部使保持在籽晶架 上的籽晶原料熔融液接觸，一邊旋轉(zhuǎn)籽晶一邊緩慢提起，由此使單晶不斷生長。 在單...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。