技術(shù)編號：8529035
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。與靜態(tài)隨機存取存儲(SRAM)器件和快閃存儲器件不同，半導(dǎo)體器件的動態(tài)隨機存取存儲器件即使供應(yīng)其電源電壓，隨著時間經(jīng)過也可丟失其儲存的數(shù)據(jù)。這可能是由于單元晶體管和組成DRAM器件的存儲器單元的單元電容器的泄漏電流。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括模式信號發(fā)生器和刷新控制器。模式信號發(fā)生器產(chǎn)生模式信號。刷新控制器響應(yīng)于模式信號和部分信號而產(chǎn)生被順序使能的第一存儲體激活信號和第二存儲體激活信號。如果模式信號具有第一電平，則在第一存儲體激活信號被使能...
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