技術(shù)編號：8513574
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸不斷減小，溝道長度變得很短，源漏之間的電場強(qiáng)度較強(qiáng)，很容易形成大量具有破壞性的熱載流子。熱載流子會產(chǎn)生熱載流子效應(yīng)，對半導(dǎo)體器件的可靠性產(chǎn)生影響。目前通常通過減小源漏極之間沿溝道方向的最大橫向電場強(qiáng)度來減小熱載流子效應(yīng)。例如，在亞微米MOSFET器件的制作過程中，在源漏極之間形成一個摻雜濃度較淺的淺摻雜漏區(qū)(LDD)，減緩源漏極之間的摻雜梯度，而緩變的摻雜梯度能夠降低源漏極之間沿溝道方向的最大橫向電場強(qiáng)度。但是，降...
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