技術(shù)編號：8488853
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在半導(dǎo)體芯片制造過程中，功率元器件產(chǎn)品的金屬層，多采用鋁/硅(1%)/銅(0.5%)合金，厚度一般為3微米或4微米。由于功率元器件產(chǎn)品的尺寸較大，鋁厚度為3微米的功率器件使用全濕法進(jìn)行鋁刻蝕，而因全濕法鋁刻蝕的橫向腐蝕過大，鋁厚度為4微米的功率元器件產(chǎn)品一般使用“濕+干”鋁刻蝕。在濕法鋁刻蝕工藝流程中，腐蝕液是不腐蝕硅的，因此，在上述濕法鋁刻蝕完成之后，金屬層中的硅渣將會(huì)殘留下來。而在“濕+干”鋁刻蝕的工藝中，濕法鋁腐蝕后，干法鋁刻蝕之前，則必須通過干法去...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。