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應變平衡有源區(qū)梯度勢阱層半導體激光器結構的制作方法技術資料下載

技術編號:8474457

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大功率半導體激光器在泵浦固體激光器和光釬激光器領域、醫(yī)療領域和通訊信息 領域有著非常廣泛的應用和市場需求。隨著對激光器功率的要求越來越高,器件可靠性的 問題越來越突出。對大功率半導體激光器而言,由于高輸出光功率密度引起的腔面光學災 變損傷和各種載流子復合熱效應引起有源區(qū)和腔面的溫度的升高成為限制最大輸出光功 率密度,影響其可靠性和壽命的主要因素。 隨著激光器技術和半導體薄膜生長技術的發(fā)展,以低鋁組分的InGaAs/AlGaAs為 量子阱、InGaAs/G...
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