技術(shù)編號(hào):8414202
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來,三族氮化物廣泛用于發(fā)光二極管、激光器和探測器等光電器件并且表現(xiàn)出很好的發(fā)展前景。GaN基發(fā)光二極管(LEDs)是未來應(yīng)用于通用照明最有前景的固態(tài)光源,它的廣泛應(yīng)用將可以節(jié)約大量能源。通常的LED外延生長工藝是使用MOCVD設(shè)備,先在藍(lán)寶石襯底上生長buffer緩沖層,接著生長一層無摻雜高溫GaN層,再生長一層摻Si的高溫n-GaN,用以提供復(fù)合的電子,然后生長InxGahNAlyGa1INO)彡x彡1,0彡y彡I)多量子阱層,接著再生長一層P-Al...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。