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金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管是眾所周知的半導(dǎo)體裝置，其可實(shí)施為η溝道(NMOS)裝置或P溝道(PMOS)裝置。MOS晶體管具有由溝道分離的間隔開的源極區(qū)及漏極區(qū)以及位于所述溝道上方且通過柵極電介質(zhì)層與所述溝道絕緣的柵極。金屬柵極MOS晶體管是一種利用金屬柵極及高k柵極電介質(zhì)層的類型的MOS晶體管。圖1圖解說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)金屬柵極MOS晶體管100。MOS晶體管100包含半導(dǎo)體本體110，半導(dǎo)體本體110具有單晶硅襯底區(qū)112及接觸襯底區(qū)112的溝槽隔離結(jié)構(gòu)...
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