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技術(shù)編號：8366966

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本發(fā)明揭示有關(guān)于一種改質(zhì)氨化聚娃氧氮燒，一種用于形成包含改質(zhì)氨化聚娃氧 氮燒的氧化娃為主的絕緣層形成用組合物及一種該組合物的制造方法，與一種使用改質(zhì)氨 化聚娃氧氮燒的氧化娃為主的絕緣層W及一種氧化娃為主的絕緣層的制造方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的日益發(fā)達(dá)，現(xiàn)在仍持續(xù)研究形成更高集成度及更快的半導(dǎo)體記 憶單元，W改進(jìn)效能及集成更小的半導(dǎo)體巧片。在該些半導(dǎo)體存儲器的單元中，例如，動態(tài) 隨機(jī)存取存儲器值RAM)可W被使用。 DRAM能夠自由地輸入和輸出信息，...
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