技術(shù)編號：8363218
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 相對于非晶硅陣列基板，低溫多晶硅陣列基板擁有高迀移率（可達非晶硅的數(shù)百 倍）的優(yōu)點，其薄膜晶體管尺寸可以做得很小，并且反應(yīng)速度快，是近年來越來越被看好的 一種顯示面板的陣列基板，在高分辨率、高畫質(zhì)的有機電致發(fā)光顯示和液晶顯示面板上被 越來越多的采用。 但是，低溫多晶硅薄膜晶體管的構(gòu)成一般較為復(fù)雜，工藝過程繁多，在大規(guī)模量產(chǎn) 或一般研發(fā)中耗時長，難于監(jiān)控，成本較高且穩(wěn)定性差。例如，如圖1所示，對于現(xiàn)有技術(shù)中 利用雙層?xùn)艠O金屬形成低溫多晶硅晶體管陣列基板的存...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。