技術編號：8341306
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)由于具有耐高壓、大電流驅動能力、極低功耗以及可與CMOS集成等優(yōu)點，目前在電源管理電路中被廣泛采用。現有一種40V隔離型NLDMOS(N型橫向擴散金屬氧化物半導體)器件，如圖1所示，在P型硅襯底101上形成有N型深阱102，N型深阱102左部形成有P阱105，右部形成有N阱104 ;P阱105同N阱104之間有N型深阱102間隔區(qū)，P阱105右部、N阱104左部及P阱105同N阱104之間的N型深阱102間隔區(qū)上方形成...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。