技術(shù)編號：8341303
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。DEMOS器件是一種高壓器件，現(xiàn)有DEMOS器件一般和低壓器件如CMOS器件集成在一起制備，現(xiàn)有DEMOS器件是在低壓器件工藝的基礎(chǔ)上共用低壓器件的阱區(qū)(WELL)，這樣使DEMOS器件的擊穿電壓(BV)受限于低壓器件的高濃度阱區(qū)之間的PN結(jié)的BV，所以現(xiàn)有DEMOS器件的BV—般為18V以下。如圖1是現(xiàn)有DEMOS器件結(jié)構(gòu)示意圖；&N型器件為例，現(xiàn)有DEMOS器件包括硅襯底101，在所述硅襯底101中形成N阱102，P阱103a和103b，所述N...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。