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技術(shù)編號(hào)：8313850

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金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積，即MOCVD (Metal-organic Chemical VaporDeposit1n),是制備化合物半導(dǎo)體薄膜的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。它利用較易揮發(fā)的有機(jī)物如(C2H5) 2Zn等作為較難揮發(fā)的金屬原子的源反應(yīng)物，通過載氣攜帶到反應(yīng)器內(nèi)，與02、H20等輔助氣體發(fā)生反應(yīng)，在加熱的基片上生成ZnO薄膜，用于微電子或光電器件。其中，制備薄膜的重要指標(biāo)之一，就是其厚度和組分的均勻性。在MOCVD技術(shù)中，要生產(chǎn)出厚度和組分均勻的大面積薄膜...
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