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隨著集成電路芯片的尺寸的減小，具有較低介電常數(shù)的沉積薄膜是先進(jìn)的半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵，因?yàn)樗墒菇饘倬€更緊密地封裝在一個芯片上而相鄰層之間的電信號泄漏的風(fēng)險較小。在半導(dǎo)體制造工藝中，有機(jī)硅化合物，例如四甲基硅烷，二甲基二甲氧基硅烷，八甲基環(huán)四硅氧烷，三氟丙基環(huán)三硅氧烷等可作為低介電常數(shù)沉積膜的原料。但是以上市售的有機(jī)硅材料通常含有相當(dāng)高濃度的不同的金屬和有機(jī)雜質(zhì)，這些金屬和有機(jī)雜質(zhì)對薄膜的質(zhì)量和介電常數(shù)值影響較大。特別是金屬雜質(zhì)，會顯著地增加沉積薄膜的介電常數(shù)...
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