技術(shù)編號：8261391
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，尤其涉及。背景技術(shù) 失效分析是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品良率的一個重要手段，其原理通常為在制造出的芯片 出現(xiàn)故障時，通過失效性分析，以定位出失效單元的物理地址，并分析是何種缺陷導(dǎo)致所述 失效單兀失效，以便于在后續(xù)的制備過程中進(jìn)行改進(jìn)，提尚良率。 對于Flash產(chǎn)品來講，編程操作（program)可使存儲單元變?yōu)?0'狀態(tài)，存儲單元 電流（Icell)變??；擦除操作（erase)可使存儲單元變?yōu)?1'狀態(tài)，存儲單元電流變大。判 斷存儲單元處于哪種...
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