技術(shù)編號：8200939
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及液相外延裝置，特別涉及一種液相外延法制取薄膜的襯底夾具。背景技術(shù)外延生長是半導(dǎo)體材料和器件制造的一項重要工藝。在單晶襯底上從飽和溶液中生長外延層的方法稱液相外延(LPE)。例如，GaAs外延層就可從以Ga為溶劑、As為溶質(zhì)的飽和溶液中生長出來。液相外延方法是在1963年由納爾遜(Nelson)提出的。在外延生長過程中，可以通過四種方法進(jìn)行溶液冷卻平衡法、突冷法、過冷法和兩相法。 液相外延技術(shù)的出現(xiàn)，對于化合物半導(dǎo)體材料和器件的發(fā)展起了重要的推動作用。目前這一技術(shù)已廣泛用于生長GaAs、 GaAlA...
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