技術(shù)編號(hào)：8198030
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及發(fā)光的鉆石以及用于生產(chǎn)發(fā)光的鉆石的方法。本發(fā)明還 涉及這種發(fā)光的鉆石粉末以及該鉆石粉末的用途。背景技術(shù)隨著立方八面體在高壓和高溫(HPHT)工藝中生長(zhǎng)，在鉆石晶體中 具有如下最常見的點(diǎn)缺陷-空缺(V),由于原子從晶格位點(diǎn)上缺失造成的缺陷；-間隙，當(dāng)額外的原子在正常占據(jù)的晶格位點(diǎn)之間的位置被引入結(jié)構(gòu) 中，例如間隙氮原子(N。；-替代，包括特定種類的原子由不同種類的原子代替，例如，孤立的 /單個(gè)的替代氮原子(Ns)代替碳原子。氮-空缺(N-V)中心由Ns和V組合形成。N-V中心吸收波長(zhǎng)范圍 為480-...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。