技術(shù)編號：8194737
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及ー種降低鑄錠硅單晶晶體缺陷的方法。背景技術(shù)通過具有特定晶向的籽晶來誘導(dǎo)生長鑄錠單晶硅是近年來在光伏硅電池領(lǐng)域得到了大幅應(yīng)用的ー種技木。但是由于現(xiàn)有大規(guī)模商業(yè)化的單晶提拉技術(shù)最大只能得到直徑為12英寸的單晶棒，開方切割后所能提供的籽晶面積較小，在邊長為800mm的鑄錠坩堝底部擺設(shè)時，必然會需要3 25塊或更多的籽晶塊。硅塊屬于脆性強、延展性很差的材料，在加工時很難保持表面的絕對平整，并且鑄錠エ藝中所用的陶瓷坩堝底部平整度較差，一般為20±2mm，在籽晶塊擺放時必然會出現(xiàn)寬度為O. r5mm的縫隙。在...
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