技術編號：8162568
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明是關于具有較低位錯密度并且表面的載流子濃度分布基本上均勻的III-V族氮化物系半導體襯底及其制造方法。背景技術 氮化物系半導體材料由于其禁帶寬度足夠大，帶間躍遷又是直接躍遷型的，因而對其在短波長發(fā)光元件領域中的應用進行了廣泛的研究。另外，由于電子的飽和漂移速度大，可利用由異質(zhì)結引起的二維載氣等，因此，可獲得在電子元件方面的應用。構成這些元件的氮化物系半導體層，可以通過采用有機金屬氣相生長法(MOVPE)、分子束氣相生長法(MBE)、氫化物氣相生長法(HVPE)等的氣相生長法在底層襯底上進行外延生長而獲...
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