技術(shù)編號(hào)：8144951
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于單晶硅的制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種采用直拉法制備單晶硅時(shí)所使 用的籽晶。背景技術(shù)單晶硅是一種半導(dǎo)體材料，一般用于制備集成電路和其它電子元件，目前制備單 晶硅時(shí)普遍采用的方法為直拉法。直拉法制備單晶硅時(shí)采用惰性氣體作為保護(hù)氣體，一般 采用如下制備方法將高純度的多晶硅裝入石英坩堝內(nèi)，加熱熔化，然后將熔化的多晶硅略 作降溫，給予一定的過冷度，把一支有著特定晶向的單晶硅(稱作籽晶)裝入籽晶夾中，并 使籽晶與多晶硅熔液接觸，通過調(diào)整多晶硅熔液的溫度和籽晶向上的提升速度，使籽晶長(zhǎng) 大，當(dāng)單晶硅的直徑接近目標(biāo)直...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。