技術(shù)編號(hào):8120726
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明主要涉及in-v族、n-vi族以及相關(guān)的單晶化合物的生長(zhǎng)的系統(tǒng)和方法,尤其涉及用于生長(zhǎng)這種具有減少的體嵌晶(body lineage)的化合 物的系統(tǒng)和方法。背景技術(shù)電子和光電器件制造商通常需要可商業(yè)化生長(zhǎng)的、大面積且均勻的單 個(gè)半導(dǎo)體晶體,其經(jīng)過(guò)切片及拋光后,能夠作為制造樣i電子器件的基片。 半導(dǎo)體晶體的生長(zhǎng)包括將多晶原材料加熱至熔點(diǎn)(通常超過(guò)1200°C )以形 成多晶原材料的熔體,使熔體與高質(zhì)量的籽晶接觸,從而使得熔體在與籽 晶接觸時(shí)發(fā)生結(jié)晶。熔體的結(jié)晶形成沿垂直軸向的基本為圓柱狀的晶體 (晶錠...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。