技術編號：8117720
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池的制作技術領域，具體涉及制絨工序中。背景技術在晶硅太陽能電池的生產(chǎn)工藝中，對硅片表面進行腐蝕制備出的絨面可以有效地降低硅片的表面反射率，表面反射率是影響晶硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一。由于多晶硅晶粒取向的多樣性，采用堿制絨工藝無法取得均勻的絨面，因此無法有效地降低多晶硅的表面反射率。目前，在多晶硅絨面的制備方法中，酸腐蝕技術(即各向同性腐蝕)既能獲得均勻且反射率較低的絨面，又能實現(xiàn)低成本、規(guī)模化生產(chǎn)的目的。通常情況下，在實際生產(chǎn)過程中，降低硅片制絨后表面反射率的常規(guī)方法是...
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