技術(shù)編號(hào)：8107834
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及低位錯(cuò)密度的in族氮化物晶體的制造方法、通過(guò)該制造方法得到的III族氮化物晶體襯底和包含III族氮化物晶體襯底的III 族氮化物半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)III族氮化物晶體應(yīng)用在發(fā)光器件一一比如發(fā)光二極管(LED)和 激光二極管(LD)、電子器件_一比如整流器、雙極晶體管、場(chǎng)效應(yīng) 晶體管和高電子遷移率晶體管(HEMT)、半導(dǎo)體傳感器__比如溫度 傳感器、壓力傳感器、輻射傳感器和可見(jiàn)盲紫外探測(cè)器、表面彈性波 器件(SAW器件)、加速度傳感器、微機(jī)電系統(tǒng)部件(MEMS部件)、 壓電振動(dòng)子、共振器和壓電致動(dòng)器...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。