技術(shù)編號(hào)：80807
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及MOS柵控半導(dǎo)體器件，尤其涉及用來(lái)對(duì)器件的各個(gè)元件的小型化提供改進(jìn)和器件電學(xué)性能提供改進(jìn)的裝置?，F(xiàn)在存在大量的全部使用金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)柵控結(jié)構(gòu)制造的各種類(lèi)型的半導(dǎo)體器件。這些器件，例如，小信號(hào)“互補(bǔ)”MOS器件(CMOS)和像MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)那樣的功率器件，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和MOS控制晶閘管(MCT)，都用柵控結(jié)構(gòu)制造，該柵控結(jié)構(gòu)包括覆蓋柵電極下面含有溝道區(qū)域和在柵控結(jié)構(gòu)的源和漏區(qū)之間延伸的半導(dǎo)體襯底表面上的薄介質(zhì)層(氧化物)的金屬電極。為了最高密度封裝高速電...
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