技術(shù)編號：80680
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及一種，特別是涉及在集成電路元件上形成一大電容結(jié)構(gòu)的方法。通常，若要增加集成電路元件的密度，必須設(shè)法減小每一結(jié)構(gòu)如金屬線、晶體管的柵極的大小并縮小組成集成電路元件各結(jié)構(gòu)間的距離?？s小元件結(jié)構(gòu)的大小，通常是為了滿足用于集成電路元件制造的“設(shè)計規(guī)則”。就動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic Random Access Memory；DRAM)而言，數(shù)據(jù)一般是藉由對在半導(dǎo)體基底上的電容器陣列的每個電容器做選擇性的充電或放電，來達(dá)到儲存的目的。大致上，一個二進(jìn)制的數(shù)據(jù)，可以一放電的電容器代表一邏輯信號“0”，而以一...
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