技術(shù)編號(hào)：8052413
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及形成Finfet晶體管中摻雜鰭狀物(fin)的方法。背景技術(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET) —直是用來制造專用集成電路芯片、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)芯片等產(chǎn)品的主導(dǎo)半導(dǎo)體技術(shù)。隨著半導(dǎo)體器件的日趨小型化，F(xiàn)ET短溝道效應(yīng)愈發(fā)嚴(yán)重，為解決如當(dāng)FET進(jìn)入22nm節(jié)點(diǎn)后的短溝道效應(yīng)，進(jìn)而發(fā)展出三維的FETjn Finfet (鰭片式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。圖1a展示出現(xiàn)有Finfet的結(jié)構(gòu)示意圖，半導(dǎo)體基底I上形成有絕緣體氧化物3，長(zhǎng)而薄的半導(dǎo)體鰭狀物3從絕緣體氧化物2中突起，多晶硅柵極5包圍...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。