技術編號：8006662
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及光伏電池領域 ，尤其是一種在鑄錠坩堝底部設置雜質(zhì)擴散阻擋層，來阻擋雜質(zhì)向晶錠內(nèi)的擴散，以此來提高鑄錠單晶硅收率的方法。背景技術通過具有特定晶向的籽晶來誘導生長鑄錠單晶硅是近年來在光伏硅電池領域得到了大幅應用的一種技術，已申請的相關專利有(I)專利US2007/0169685(A1)中提到采用〈100〉單晶硅作為籽晶來誘導生長鑄錠單晶硅，認為該種工藝能明顯減少或消除缺陷密度，得到晶粒至少大于IOcm的晶錠。(2)專利CN201010284738. 7中發(fā)明者提出將中心開孔的石英片置于坩堝底部，石英片...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。