技術編號：7974119
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及一種CMOS(互補金屬氧化物硅)圖像傳感器。本發(fā)明尤其涉及一種CMOS圖像傳感器及其制造方法，可以在縮小象素的同時簡化CMOS圖像傳感器結構。背景技術 通常，圖像傳感器是將光學圖像轉化為電信號的半導體器件，分為電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器。CCD具有多個布置成矩陣形式以將光信號轉化為電信號的光電二極管(PDs)。CCD包括多個垂直布置在該矩陣中的光電二極管之間的垂直電荷耦合器件(VCCDs)，以在每個光電二極管產(chǎn)生電荷時在垂直方向傳送電荷，還包括多個水平電荷耦合器件(HCCDs)，用...
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