技術(shù)編號:7520121
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明特別涉及一種包含雙柵增強型高電子遷移率晶體管器件(Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor , E-mode HEMT)的集成系統(tǒng)。背景技術(shù)由于壓電極化和自發(fā)極化效應(yīng),在III族氮化物半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)上(Heterostructure),如AlGaN/GaN,能夠形成高濃度的二維電子氣。另外,III族氮化物半導體,具有高的絕緣擊穿電場強度以及良好的耐高溫特性。III族氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備的HEM...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學習。