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場效應(yīng)晶體管死區(qū)控制驅(qū)動信號的發(fā)生電路的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7476707

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本實用新型涉及一種絕緣場效應(yīng)晶體管IGBT或金厲氧化物半導(dǎo)體場 效應(yīng)晶體管MOSFET的死區(qū)控制驅(qū)動信號的發(fā)生電路,尤其涉及一種用用在電磁爐、大功率焊接設(shè)備、大功率開關(guān)電源等功率變換電路中。技術(shù)背景現(xiàn)有技術(shù)中, 一般由IGBT或MOSFET組成的半橋式或全橋式變頻功率 電路中,需要以產(chǎn)生頻率可變的兩路具有死區(qū)控制的兩路或四路輸出信號 (方波或近似方波)。通常是通過設(shè)置專用芯片來解決這一問題,但其成 本較高且電路設(shè)計靈活性較差。也有使用髙頻變壓器來實現(xiàn)這一功...
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