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一種基于igbt串聯(lián)損耗優(yōu)化電壓自適應(yīng)控制方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7341988

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本發(fā)明涉及電子電力系統(tǒng)領(lǐng)域。具體涉及一種基于IGBT串聯(lián)損耗優(yōu)化電壓自適應(yīng)控制方法。背景技術(shù)20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)的半導(dǎo)體電力開(kāi)關(guān)器件一絕緣柵雙極型功率管IGBT(Insulated Gate Biploar Transistor)是一種復(fù)合器件,它的輸入控制部分為M0SFET,輸出級(jí)為雙極結(jié)型晶體管,兼有MOSFET和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)高輸入阻抗,電壓控制,驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度快,工作頻率可達(dá)10-40kHz,飽和壓降低,電壓、電流容量較大,安全工作區(qū)較...
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