技術(shù)編號：7264083
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明為，解決巳有酸堿結(jié)合的單晶硅片絨面制備方法制備的單晶硅片表面反射率低的問題。清洗單晶硅片后，將其放入第一堿性溶液中，在[100]晶向的單晶硅片正面表面上形成第一層絨面，用酸性溶液清洗第一層絨面，再將單晶硅片放入第二堿性溶液中，對四棱錐的四個[111]晶面進行腐蝕，形成三角形滑移面堆積的、分層的單晶硅片的第二層絨面，這兩層絨面構(gòu)成太陽能電池的高效光吸收結(jié)構(gòu)，用酸性溶液清洗單晶硅片的絨面，再用熱氧化法或PECVD法或磁控濺射法，在多層絨面結(jié)構(gòu)的表面生長厚...
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