技術編號：7263386
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及第III族氮化物半導體發(fā)光器件。具體而言，本發(fā)明提供一種呈現(xiàn)出改進的發(fā)光效率的第III族氮化物半導體發(fā)光器件。發(fā)光層具有MQW結(jié)構，在MQW結(jié)構中重復沉積有多個層單元，每個層單元包括依次沉積的阱層、蓋層和勢壘層。阱層由InGaN形成，蓋層具有在阱層上按以下順序沉積的GaN層和AlGaN層的結(jié)構，以及勢壘層由AlGaN形成。AlGaN層的Al組成比高于勢壘層的Al組成比。當發(fā)光層沿厚度方向劃分為n型覆層側(cè)的前部和p型覆層側(cè)的后部時，在前部中的AlG...
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