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技術(shù)編號(hào)：7262395

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝，公開(kāi)了一種。該方法通過(guò)一次光刻工藝和自對(duì)準(zhǔn)制程分別形成溝槽型DMOS晶體管的溝槽和接觸孔，進(jìn)一步降低了DMOS晶體管的尺寸，從而大大減小了DMOS器件的導(dǎo)通電阻，提高了DMOS器件的驅(qū)動(dòng)能力。同時(shí)，相同面積形成的晶體管數(shù)量增加，降低了生產(chǎn)成本。專利說(shuō)明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝，特別是涉及一種。 背景技術(shù) [0002]DMOS (雙擴(kuò)散的金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管是一種MOSFET (金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管...
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