技術編號：7259858
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的諸方面 涉及用于基于碳納米碳管的場效晶體管(CNTFET)的自對準到柵極的外延源極/漏極接觸。背景技術基于納米碳管(CNT)的開關器件由于CNT的薄主體造成的高載子遷移率及良好短溝道效應而具有極大的潛力。例如，CNTFET已被提出作為密集邏輯應用的潛在后硅互補金屬氧化物半導體(CMOS)解決方案。為了能夠實現(xiàn)此潛力，必須使用以密集柵距(pitch)構建CNTFET的方法。理想CNTFET的高遷移率能夠使寬度縮放(scaling)，以及理想CNTFE...
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