技術(shù)編號：7258116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件。該發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以及有源層，置于第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間。該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括電子阻擋區(qū)域，布置為靠近有源層且具有圖案，該圖案具有彼此隔開的多個元件。本發(fā)明的發(fā)光器件通過使用EBL阻擋電子溢出并提高空穴注入效率，從而提高其內(nèi)部量子效能。專利說明發(fā)光器件[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求2012年8月6日在韓國提交的第10-2012-008556...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。