技術編號：7256854
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種，包括下列步驟在晶圓上淀積多晶硅；在所述多晶硅上涂覆光刻膠，使用第一光刻掩膜版進行曝光和顯影后對所述多晶硅進行刻蝕，形成第一柵極；對所述晶圓進行第一器件區(qū)的輕摻雜漏極離子注入；去除所述光刻膠。本發(fā)明高壓器件區(qū)柵極和高壓器件區(qū)的LDD注入圖形之間不會產(chǎn)生相對偏移，因此提高了輕摻雜漏極注入位置的準確性。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及半導體器件的制造方法，特別是涉及一種。 背景技術 [0002]傳統(tǒng)邏輯器件的低壓器件區(qū)的輕摻雜漏極(L...
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