技術(shù)編號：7246067
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，涉及半導(dǎo)體。該方法中在襯底源/漏處形成凹槽，在凹槽側(cè)壁形成可去除側(cè)墻，然后對凹槽進(jìn)行刻蝕以形成Sigma形凹陷；在Sigma形凹陷內(nèi)進(jìn)行基本不摻雜的硅鍺選擇性外延生長時由可去除側(cè)墻保護(hù)Sigma形凹陷靠近襯底表面不被外延，去除可去除側(cè)墻再在Sigma形凹陷內(nèi)進(jìn)行摻雜P型雜質(zhì)的硅鍺外延生長。這樣，在充分增加應(yīng)力的情況下保證源漏結(jié)之間有充分的距離，以免加劇短溝道效應(yīng)，并且無摻雜的SiGe外延生長不給導(dǎo)電通道引入高阻層，避免了器件性能退化，提高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。