技術(shù)編號(hào)：7245557
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請(qǐng)公開(kāi)了，在半導(dǎo)體基體中形成延伸到源極和漏極之中的Σ型導(dǎo)電溝道，一方面，Σ型導(dǎo)電溝道中多步外延生長(zhǎng)鍺化硅或碳化硅，另一方面，Σ型導(dǎo)電溝道邊緣的非硅元素?fù)诫s濃度小于中部的非硅元素?fù)诫s濃度，從而通過(guò)漸變的非硅元素?fù)诫s濃度，降低源漏極與導(dǎo)電溝道界面處的晶格適配形成了異質(zhì)結(jié)，增大了導(dǎo)電溝道中的應(yīng)力，兩者都提高載流子的遷移率。專(zhuān)利說(shuō)明[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制作技術(shù)，特別涉及。背景技術(shù)[0002]目前，半導(dǎo)體制造工業(yè)主要在硅襯底的晶片(wafer)器件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。