技術(shù)編號：7244307
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體半導(dǎo)體襯底(諸如，例如結(jié)晶硅襯底)的。背景技術(shù)在光伏工業(yè)中所使用的表面紋理化的方法經(jīng)常是耗時(shí)且效率差的。為了獲得具有高轉(zhuǎn)換效率的光伏電池，電池的一側(cè)(如，前側(cè)或前表面)優(yōu)選地被紋理化，同時(shí)另一側(cè)(如，后表面)被拋光。前側(cè)被紋理化以充分減少光反射，以使入射光的大部分量由光伏電池所捕捉。后側(cè)被拋光，以使其用用作反射未被吸收而穿透襯底的光(如，紅外光)的鏡子。被后側(cè)所反射的光可穿過襯底兩次，藉此增加被吸收的機(jī)會(huì)并創(chuàng)建電荷載流子。在高效的硅光伏電池的...
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