技術編號：7243644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種CMOS管的PMOS替代柵極的去除方法。在半導體襯底上以STI為界，形成具有PMOS結構的第一區(qū)域和具有NMOS結構的第二區(qū)域；在上述區(qū)域表面依次沉積刻蝕終止層和層間介質層，并對層間介質層進行化學機械研磨，所述研磨停止在刻蝕終止層上，顯露出PMOS結構和NMOS結構的替代柵極；沉積硬掩膜層；用光阻膠層遮擋第二區(qū)域，將PMOS結構表面上的硬掩膜層打開，顯露出PMOS替代柵極；分兩步去除光阻膠層，第一步采用含氧氣體對光阻膠層進行處理，第二步采用...
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