技術(shù)編號(hào):7243312
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種多晶硅在離子注入后的快速熱退火(RapidThermalAnneal,RTA)方法,屬于半導(dǎo)體多晶硅的制備。該方法用于將晶圓上的多晶硅在離子注入摻雜后進(jìn)行摻雜激活以獲得預(yù)定電阻范圍內(nèi)的多晶硅層,其中,在快速熱退火的過(guò)程中,在向所述晶圓所處的快速熱退火裝置的腔室內(nèi)通入氮?dú)獾耐瑫r(shí),通入氧氣以改善所述晶圓上的多晶硅的電阻的均勻性。該RTA方法所制備形成的多晶硅層的電阻均勻性好,成品率高并且制造成本低。專(zhuān)利說(shuō)明[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體多晶硅的制備...
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