技術編號：7238004
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種將具有薄的BOX層的SOI晶片、DSB晶片等貼合的晶片及其 制造方法。技術背景SOI (Silicon-On-Insulator)晶片與現(xiàn)有的硅晶片相比，具有元件間可以分離， 元件和基板間的寄生電容降低，可以形成三維結構的優(yōu)點。為了運用這些優(yōu)點，近 年來，SOI晶片在高速、低耗電量的LSI等中被使用。現(xiàn)有的SOI晶片通過比較厚(例如1500A左右)的氧化膜將2塊晶片貼合在一 起。不過，近年來為了在新的裝置中使用，具有薄的膜厚的氧化膜的SOI晶...
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