技術(shù)編號(hào)：7237870
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體裝置的 制造方法與結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)超大型集成電路的微縮化(scaling)， 一直以來(lái)都在持續(xù)不斷的進(jìn)行，因 此較小的集成電路可容許在同一半導(dǎo)體晶片中形成更多的裝置。此外，也可 改善電力的消耗及裝置的性能。而隨著電路變得更小及更快速，改善裝置的 驅(qū)動(dòng)電流變得更加重要，其中可通過(guò)改善載流子遷移率來(lái)提升驅(qū)動(dòng)電流。在 這些使得載流子遷移率提高的努力的成果中，形成應(yīng)力溝道區(qū)為公知的實(shí) 例，其通過(guò)表面具有應(yīng)力的溝...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。