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技術(shù)編號：7237700

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本發(fā)明涉及利用InN材料作緩沖層或襯底材料生長其它半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的方 法。尤其是在單晶或多晶InN半導(dǎo)體材料上利用CVD、 M0CVD或MBE生長方法生長單 層半導(dǎo)體材料或多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)材料。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展到如今的第三代半導(dǎo)體材料，由GaN、 IriN、 A1N及其三元合 金InxGai-xN、 Al、GahN組成的III族氮化物以其諸多獨(dú)特的特性和廣泛的應(yīng)用前景， 成為了近年半導(dǎo)體光電子學(xué)研發(fā)的熱點(diǎn)。2002年，美國Lawrence Be...
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