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技術(shù)編號(hào)：7236853

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)范圍，特別涉及一種多晶硅收集區(qū)倒置結(jié)構(gòu)SiGe 異質(zhì)結(jié)晶體管。背景技術(shù)采用傳統(tǒng)的硅雙極工藝技術(shù)制作的NPN晶體管(NPN三極管)如圖1所示。 晶體管的核心器件部分(在圖1中用虛線(xiàn)框框出的部分)，從下向上依次為P-型Si襯底，N+型Si和N-型Si組成的收集區(qū)3， P型Si基區(qū)2， N+型Si發(fā)射區(qū) 1。在此基礎(chǔ)上發(fā)展出了很多NPN晶體管結(jié)構(gòu)的變種，例如發(fā)射區(qū)不使用單晶Si， 而是用多晶Si來(lái)代替，這樣的結(jié)構(gòu)如圖2所示，為當(dāng)前比較流行...
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