技術(shù)編號:7236314
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于存儲器CRAM存儲元的結(jié)構(gòu),更具體而言,是一種硫?qū)?相變存儲器CRAM存儲元。背景技術(shù)硫?qū)傧嘧兇鎯ζ鰿隨(Chalcogenide-based phase-change RAM), 是以硫?qū)倩衔餅榇鎯橘|(zhì),通入電流產(chǎn)生焦耳熱使硫?qū)倩衔锇l(fā)生可 逆性結(jié)構(gòu)相變,利用其晶態(tài)和非晶態(tài)之間高達(dá)四個(gè)數(shù)量級的阻抗差來實(shí) 現(xiàn)二進(jìn)制信息存儲的半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲器。研究比較成熟的可用于 CRAM的硫?qū)倩衔锒酁镚e2Sb2Te5,簡稱GST。當(dāng)外部脈沖電路給以短時(shí)...
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