技術(shù)編號：7233781
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，且特別涉及一種適于線寬小于0.3微米的半導(dǎo)體元件的。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的持續(xù)進步，半導(dǎo)體集成電路的線寬也隨著持續(xù)縮 小，使得半導(dǎo)體元件對于柵氧化層厚度的敏感度也隨之提升。請參考圖1A-1F,其繪示現(xiàn)有淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)的制造流程剖面結(jié)構(gòu)示意 圖。在圖1A中，先在襯底100之上依序形成墊氧化層105與氮化硅層110。 然后對氮化硅層110、墊氧化層105與襯底100進行光刻蝕刻的步驟，在襯 底100中形成溝渠115。在圖IB中，以熱磷酸...
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