技術(shù)編號(hào):7232769
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種低容層積型晶片變阻器,尤其涉及電容值在1MHz下小于0.5pF且用于抑制過(guò)電壓、抑制靜電沖擊及保護(hù)電子線路的低容層積型晶片變阻器。背景技術(shù) 電子工業(yè)的趨勢(shì)是工作頻率愈來(lái)愈高,尺寸愈來(lái)愈小。因此,在高頻范圍下使用變阻器(varistor)來(lái)保護(hù)IC不受過(guò)電壓破壞的需求,也就愈來(lái)愈大。公知的變阻器(varistor)以氧化鋅或鈦酸鍶為主體,并加入氧化物燒結(jié)而成。以氧化鋅變阻器為例,是以氧化鋅與Bi、Sb、Si、Co、Mn、Cr等氧化物所組成。在1...
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