技術(shù)編號(hào)：7230536
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造中的電氣檢測(cè)方法。 背景技術(shù)半導(dǎo)體制造中，晶片上的多個(gè)金屬層之間往往采用鴇插塞(W-plug) 進(jìn)行電氣連接。請(qǐng)參閱圖1，金屬層10和金屬層30之間采用鴇插塞20進(jìn) 行電氣連接，金屬層10和鎢插塞20之間有一層阻擋層11，金屬層30和鴇 插塞20之間有一層阻擋層31。金屬層10已刻蝕有多條平行鋁線13，在相 鄰的鋁線13之間填充有絕緣介質(zhì)12。相鄰的鉤插塞20之間則是絕緣介質(zhì) 21。在金屬層30上刻蝕多條平行的鋁線32，理想情況下，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。